据韩国媒体报道，三星电子准备在韩国平泽新建一个大型半导体生产基地，并计划在9月份启动工厂建设。

报道指出，三星P3工厂的生产制造规模将比P2工厂增加50%，预计将采取“综合半导体工厂”的形式，同时生产DRAM，NAND闪存和系统半导体，并有望采用最新工艺。P3工厂预计将在2021年第三季度竣工，投入量产时间将从2021年底开始。

三星电子是全球最大的存储器厂商，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)此前发布的NAND Flash和DRAM厂商营收排名显示，2020年第一季度，三星电子在NAND Flash和DRAM市场的营收分别为45.01亿美元和65.37亿美元，均排名第一。

目前，三星电子在韩国平泽设有名为“P1”和“P2”的半导体工厂，其中P2是新工厂，已于去年竣工。

6月初，三星电子曾宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。据三星官方当时消息指出，新工厂位于韩国平泽2号线内，计划于2021年2月量产，将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。